Samsung, Yakında Hacimli 3nm Yonga Üretimine Başlıyor Samsung, bu çeyrekte 3GAE (3nm sınıfı-class gate all-around early) sürecini kullanarak yüksek hacimli üretime başlama yolunda olduğunu duyurdu. bu biçimdelikle sırf sanayinin birinci 3nm sınıfı üretim teknolojisi değil, beraberinde epey istikametli alan tesirli transistörler (GAAFET) birinci defa kullanılmaya başlayacak.
3GAE süreci, şirketin resmi olarak epey köprü kanallı alan tesirli transistörler (MBCFET) olarak isimlendirdiği GAA transistörlerini kullanan birinci şirket içi teknoloji. Samsung, yaklaşık üç yıl evvel 3GAE ve 3GAP tekniğini resmi olarak tanıtmıştı.
Teknoloji devi, 3GAE teknolojisi kullanılarak ürettiği 256Mb GAAFET SRAM yongasını tanım ederken bir ekip tezlerde bulundu. Güney Koreli şirket sürecin %30 performans artışı, %50 güç verimliliği ve %80’e kadar daha yüksek transistör yoğunluğu (bir mantık ve SRAM transistör karışımı dahil) sağlayacağını söylemiş oldu. Lakin bu geliştirmelerin sonuncu eserlerde performans ve güç tüketimine nasıl katkıda bulunacağını vakit ortasında bakılırsaceğiz.
Yeni bir transistör yapısına geçiş süreci, büsbütün yeni araçların yanı sıra yesyeni bir üretim sürecini içerdiğinden dolayı çok riskli. Öbür zorluklar içinde ise yeni süreçlerle bir arada tanıtılan ve yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) yazılımı tarafınca ele alınan yeni yerleştirme metodolojileri, kat planı kuralları ve yönlendirme kuralları yer alıyor. Son olarak, çip tasarımcılarının pek değerli olan büsbütün yeni bir IP geliştirmeleri gerekiyor.
3GAE süreci, şirketin resmi olarak epey köprü kanallı alan tesirli transistörler (MBCFET) olarak isimlendirdiği GAA transistörlerini kullanan birinci şirket içi teknoloji. Samsung, yaklaşık üç yıl evvel 3GAE ve 3GAP tekniğini resmi olarak tanıtmıştı.
Teknoloji devi, 3GAE teknolojisi kullanılarak ürettiği 256Mb GAAFET SRAM yongasını tanım ederken bir ekip tezlerde bulundu. Güney Koreli şirket sürecin %30 performans artışı, %50 güç verimliliği ve %80’e kadar daha yüksek transistör yoğunluğu (bir mantık ve SRAM transistör karışımı dahil) sağlayacağını söylemiş oldu. Lakin bu geliştirmelerin sonuncu eserlerde performans ve güç tüketimine nasıl katkıda bulunacağını vakit ortasında bakılırsaceğiz.
Yeni bir transistör yapısına geçiş süreci, büsbütün yeni araçların yanı sıra yesyeni bir üretim sürecini içerdiğinden dolayı çok riskli. Öbür zorluklar içinde ise yeni süreçlerle bir arada tanıtılan ve yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) yazılımı tarafınca ele alınan yeni yerleştirme metodolojileri, kat planı kuralları ve yönlendirme kuralları yer alıyor. Son olarak, çip tasarımcılarının pek değerli olan büsbütün yeni bir IP geliştirmeleri gerekiyor.