Samsung, 3nm GAA Teknolojisiyle Intel ve TSMC’nin Önüne Geçti Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken bu öncü teknolojilerin hangi aygıtlarda kullanılacağından hiç bahsetmedi. Görünüşe bakılırsa şirket, kripto para madenciliği için özel bri entegre devre (ASIC) üretmek üzere 3GAE tekniğini kullanıyor.
3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (multi-bridge channel field-effect transistors) olarak isimlendirdiği gate-all-around (GAA) transistörlere dayanıyor. GAAFET bilhassa yüksek performanslı ve taşınabilir tahliller için faydalı. Bu niçinle Intel ve TSMC üzere şirketler 2024 – 2025 senelerında bu sürece geçiş yapmak için mesai harcıyor.
TrendForce tarafınca gelen haberlere bakacak olursak, GAAFET teknolojisinden birinci vakit içinderda kripto madenciliğinde kullanacak ASIC’ler yararlanacak. Firma analistleri, Güney Koreli şirketin 3GAE sürecini taşınabilir işlemcilere önümüzdeki yıl getireceğini söylüyor.
Kripto para madenciliğinde kullanılan çipler nispeten sıradan ve küçük yapıdadır. Operasyonlarda verimlilik elde etmek için fazlaca sayıda benzeri çip bir ortaya gelir. Gerçekten yeni üretim teknolojilerinin bu tıp yapılandırmalar için büyük avantajlar sağlaması bekleniyor.
Farklı transistör yapıları kullanan taşınabilir SoC’ler ise sayısız bilgi süreç ünitesini ortasında barındırmakta. Bu niçinle Samsung’un performans, verimlilik ve yoğunluk hakkında daha fazla bilgi edinmesi için kripto ASIC’lerini kullanımı mantıklı. Çinli SMIC, benzeri biçimde 7nm sınıfı teknolojilerini test etmek için MinerVa madencilik ASIC’ini kullanmıştı.
Samsung, yeni jenerasyon üretim teknolojileri kelam konusu olduğunda çoklukla resmiyette TSMC ve Intel’in önünde gidiyor. Fakat birçok durumda TSMC’de üretilen benzeri çipler daha yüksek verimlilik ve performans sağlıyor.
3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (multi-bridge channel field-effect transistors) olarak isimlendirdiği gate-all-around (GAA) transistörlere dayanıyor. GAAFET bilhassa yüksek performanslı ve taşınabilir tahliller için faydalı. Bu niçinle Intel ve TSMC üzere şirketler 2024 – 2025 senelerında bu sürece geçiş yapmak için mesai harcıyor.
TrendForce tarafınca gelen haberlere bakacak olursak, GAAFET teknolojisinden birinci vakit içinderda kripto madenciliğinde kullanacak ASIC’ler yararlanacak. Firma analistleri, Güney Koreli şirketin 3GAE sürecini taşınabilir işlemcilere önümüzdeki yıl getireceğini söylüyor.
Kripto para madenciliğinde kullanılan çipler nispeten sıradan ve küçük yapıdadır. Operasyonlarda verimlilik elde etmek için fazlaca sayıda benzeri çip bir ortaya gelir. Gerçekten yeni üretim teknolojilerinin bu tıp yapılandırmalar için büyük avantajlar sağlaması bekleniyor.
Farklı transistör yapıları kullanan taşınabilir SoC’ler ise sayısız bilgi süreç ünitesini ortasında barındırmakta. Bu niçinle Samsung’un performans, verimlilik ve yoğunluk hakkında daha fazla bilgi edinmesi için kripto ASIC’lerini kullanımı mantıklı. Çinli SMIC, benzeri biçimde 7nm sınıfı teknolojilerini test etmek için MinerVa madencilik ASIC’ini kullanmıştı.
Samsung, yeni jenerasyon üretim teknolojileri kelam konusu olduğunda çoklukla resmiyette TSMC ve Intel’in önünde gidiyor. Fakat birçok durumda TSMC’de üretilen benzeri çipler daha yüksek verimlilik ve performans sağlıyor.